La tecnologia di incisione a secco è uno dei processi chiave. Il gas di incisione a secco è un materiale chiave nella produzione di semiconduttori e un'importante fonte di gas per l'incisione al plasma. Le sue prestazioni influiscono direttamente sulla qualità e sulle prestazioni del prodotto finale. Questo articolo illustra principalmente i gas di incisione comunemente utilizzati nel processo di incisione a secco.
Gas a base di fluoro: cometetrafluoruro di carbonio (CF4), esafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Questi gas possono generare efficacemente fluoruri volatili durante l'incisione del silicio e dei composti del silicio, ottenendo così la rimozione del materiale.
Gas a base di cloro: come il cloro (Cl2),tricloruro di boro (BCl3)e tetracloruro di silicio (SiCl4). I gas a base di cloro possono fornire ioni cloruro durante il processo di incisione, contribuendo a migliorare la velocità e la selettività dell'incisione.
Gas a base di bromo: come bromo (Br2) e ioduro di bromo (IBr). I gas a base di bromo possono fornire migliori prestazioni di incisione in alcuni processi, soprattutto quando si incidono materiali duri come il carburo di silicio.
Gas a base di azoto e ossigeno: come il trifluoruro di azoto (NF3) e l'ossigeno (O2). Questi gas vengono solitamente utilizzati per regolare le condizioni di reazione nel processo di incisione, migliorandone la selettività e la direzionalità.
Questi gas consentono di ottenere un'incisione precisa della superficie del materiale attraverso una combinazione di sputtering fisico e reazioni chimiche durante l'incisione al plasma. La scelta del gas di incisione dipende dal tipo di materiale da incidere, dai requisiti di selettività dell'incisione e dalla velocità di incisione desiderata.
Data di pubblicazione: 08-02-2025
