La tecnologia di attacco a secco è uno dei processi chiave. Il gas di attacco a secco è un materiale chiave nella produzione di semiconduttori e un'importante fonte di gas per l'attacco al plasma. Le sue prestazioni influiscono direttamente sulla qualità e sulle prestazioni del prodotto finale. Questo articolo condivide principalmente quelli che sono i gas di incisione comunemente usati nel processo di incisione a secco.
Gas a base di fluoro: cometetrafluoride di carbonio (CF4), Hexafluoroethane (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Questi gas possono effettivamente generare fluoruri volatili quando si inclinano i composti di silicio e silicio, raggiungendo così la rimozione del materiale.
Gas a base di cloro: come cloro (CL2),Boron Tricloruro (BCL3)e silicio tetracloruro (SICL4). I gas a base di cloro possono fornire ioni cloruro durante il processo di attacco, che aiuta a migliorare la velocità di attacco e la selettività.
Gas a base di bromo: come bromo (BR2) e ioduro di bromo (IBR). I gas a base di bromo possono fornire migliori prestazioni di incisione in alcuni processi di incisione, specialmente quando si incidono materiali duri come il carburo di silicio.
Gas a base di azoto e a base di ossigeno: come trifluoruro di azoto (NF3) e ossigeno (O2). Questi gas vengono generalmente utilizzati per regolare le condizioni di reazione nel processo di attacco per migliorare la selettività e la direzionalità dell'attacco.
Questi gas ottengono incisioni precise della superficie del materiale attraverso una combinazione di sputtering fisico e reazioni chimiche durante l'attacco al plasma. La scelta del gas di attacco dipende dal tipo di materiale da incidere, dai requisiti di selettività dell'attacco e dalla velocità di incisione desiderata.
Tempo post: feb-08-2025
