La tecnologia di incisione a secco è uno dei processi chiave. Il gas di incisione a secco è un elemento fondamentale nella produzione di semiconduttori e una fonte di gas importante per l'incisione al plasma. Le sue prestazioni influenzano direttamente la qualità e le prestazioni del prodotto finale. Questo articolo illustra principalmente i gas di incisione comunemente utilizzati nel processo di incisione a secco.
Gas a base di fluoro: come ad esempiotetrafluoruro di carbonio (CF4)esafluoroetano (C2F6), trifluorometano (CHF3) e perfluoropropano (C3F8). Questi gas possono generare efficacemente fluoruri volatili durante l'incisione del silicio e dei composti del silicio, consentendo così la rimozione del materiale.
Gas a base di cloro: come il cloro (Cl2),tricloruro di boro (BCl3)e tetracloruro di silicio (SiCl4). I gas a base di cloro possono fornire ioni cloruro durante il processo di incisione, il che contribuisce a migliorare la velocità di incisione e la selettività.
Gas a base di bromo: come il bromo (Br2) e lo ioduro di bromo (IBr). I gas a base di bromo possono fornire migliori prestazioni di incisione in alcuni processi di incisione, soprattutto quando si incidono materiali duri come il carburo di silicio.
Gas a base di azoto e a base di ossigeno: come il trifluoruro di azoto (NF3) e l'ossigeno (O2). Questi gas vengono solitamente utilizzati per regolare le condizioni di reazione nel processo di incisione al fine di migliorarne la selettività e la direzionalità.
Questi gas consentono un'incisione precisa della superficie del materiale attraverso una combinazione di sputtering fisico e reazioni chimiche durante il processo di incisione al plasma. La scelta del gas di incisione dipende dal tipo di materiale da incidere, dai requisiti di selettività dell'incisione e dalla velocità di incisione desiderata.
Data di pubblicazione: 8 febbraio 2025
